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刚研制成功的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备意味着什么？对国内行业有何影响？
我国首台紫光高分辩光刻机的诞生标志着我国打破了西方国家的技术垄断，为我国芯片产业提供了基础支持，虽然我们的光刻机技术与西方存在差距，但我们有信心有能力奋起直追，我们都要有自信心不做喷子自我嘲讽给予更多的鼓励。
光刻装备是半导体重中之重，是解决网络心片又一丰硕成果，为5G吋代打下坚石基础，能带动很多产业链，牵涉到强軍、强国有力装备，打破国外垄断、封锁芯片产业，为国家争光。芯痛病一石击碎千丈落。
从公开的信息看对中国的芯片制造有帮助，但是因为这个技术现在只能在小直径硅片上制作芯片，到大规模商业应用还有很大差距。现在商用的光刻机用20和30厘米直径的硅片，这台光刻机只能用7厘米以下的硅片。
中科院光电所研发成功的紫外超分辨光刻机在各大媒体上刷屏了，它打破了传统光学光刻分辨力受限于光源波长及镜头数值孔径的传统路线格局，使用365nm波长就能实现单次曝光最高线宽分辨力达到22nm。除了技术水平之外，中科院的这套光刻机价格非常低廉，项目副总设计师胡松表示其售价会在1000万到2000万元之间，这价格在光刻机中真的是***价了，ASML的193nm光刻机售价在7000万美元以上，EUV光刻机售价在1亿欧元以上，国内的光刻机价格仅为EUV光刻机价格2%，不过双方的技术体系也是不同的，国产光刻机现在还取代不了ASML的光刻机。
来自中科院官方的消息报道，中科院光电所所长、超分辨光刻装备项目首席科学家罗先刚研究员介绍说，2012年，该所承担了超分辨光刻装备这一国家重大科研装备项目研制任务，经过近7年艰苦攻关，在无国外成熟经验可借鉴的情况下，项目组突破了高均匀性照明、超分辨光刻镜头、纳米级分辨力检焦及间隙测量和超精密、多自由度工件台及控制等关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其***用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米(约1/17曝光波长)。在此基础上，项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形等配套工艺，实现了10纳米以下特征尺寸图形的加工。
这一世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备是基于表面等离子体超衍射研制而成，它打破了传统光学光刻分辨力受限于光源波长及镜头数值孔径的传统路线格局，形成了一条全新的超衍射纳米光刻从原理、装备到工艺的技术路线，具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性战略领域的跨越式发展提供了制造工具。
除此之外，国产的光刻机还有一个优势就是价格便宜，项目副总设计师胡松在接受《环球时报》记者***访时提到每台光刻机的售价应该在1000万元到2000万元人民币之间，未来市场前景广阔，但是完全替代荷兰ASML公司垄断的尖端集成电路光刻机还有一段路要走。
“我们自主研制的光刻设备目前可以小批量生产，助力新型纳米器件产品制造。在生产效率、套刻精度、芯片面积和成品率上还有待进一步提升”，副总设计师胡松说。
光电所根据实际需要，已经实现了相关器件的制造，包括纳米透镜和波前调控等超材料/超表面器件，大口径轻量化薄膜镜等第三代光学器件，切伦科夫辐射、LSPR和SERS生化传感、超导纳米线单光子探测等系列新型纳米器件的制造。
相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究院、电子科大太赫兹科学技术研究中心、四川大学华西医院、中科院微系统所信息功能材料国家重点实验室等多家科研院所和高校的重大研究任务中取得应用。
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